Innovative Silicon без ложной объявила о совершении технологического прорыва в области изготовления ячееки памяти Z-RAM на одном транзисторе. Новая ячейка превосходит обычные по всем параметрам: по скорости, энергопотреблению, времени хранения и простоте изготовления. Операция чтения улучшена за счет повышенной чувствительности, записи – за счет увеличения сохраняемого заряда. Технология предусматривает использование не только MOS-транзистора, как обычно, но и внутреннего биполярного транзистора, присутствующего во всех структурах silicon-on-insulator MOS.
