Воскресенье, 22.10.2017, 05:58

Приветствую Вас Нуб

| RSS







   
 
Навигация

Быстрый вход

Календарь новостей
«  Декабрь 2007  »
ПнВтСрЧтПтСбВс
     12
3456789
10111213141516
17181920212223
24252627282930
31

Поиск

Опросы
Чего не хватает клану?

Всего ответов: 714

Друзья сайта

Статистика

[n|a]
Главная » 2007 » Декабрь » 25 » Память станет намного дешевле
Память станет намного дешевле
15:35
Innovative Silicon без ложной объявила о совершении технологического прорыва в области изготовления ячееки памяти Z-RAM на одном транзисторе. Новая ячейка превосходит обычные по всем параметрам: по скорости, энергопотреблению, времени хранения и простоте изготовления. Операция чтения улучшена за счет повышенной чувствительности, записи – за счет увеличения сохраняемого заряда. Технология предусматривает использование не только MOS-транзистора, как обычно, но и внутреннего биполярного транзистора, присутствующего во всех структурах silicon-on-insulator MOS.
Просмотров: 536 | Добавил: STRELOK | Рейтинг: 0.0/0 |
Всего комментариев: 1
1  
biggrinsanta biggrinsanta

Имя *:
Email *:
Код *:

Copyright © 2006